Datasheet下载- 型号： MRF7S19170HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19170HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19170HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19170HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19170HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19170HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19170HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.4–2.5 GHz频段设计（典型工作频段为2.45 GHz ISM频段），采用高可靠性陶瓷封装（H-30260-2），支持连续波（CW）及高效率宽带调制信号（如WCDMA、LTE、WiMAX）。其主要应用场景包括： • 工业、科学与医疗（ISM）射频加热系统：如微波等离子体发生器、介质加热设备，利用其170W输出功率和高热稳定性实现高效能量转换； • 无线通信基础设施中的中功率基站功放模块：适用于小型蜂窝（Small Cell）、分布式天线系统（DAS）及5G前传/室内覆盖场景，在2.4 GHz Wi-Fi 6E扩展频段或专网通信中提供高线性度与效率； • 雷达与电子对抗（EW）子系统：在S波段短距雷达、无人机载雷达或干扰发射机中承担脉冲/调制信号放大任务，得益于其优异的增益（典型18 dB）、高PAE（>60% @ 2.45 GHz）及良好互调抑制性能； • 科研与测试设备：作为射频信号源、EMC抗扰度测试激励放大器或实验室级宽带功率放大器核心器件。 该器件需配合匹配网络、稳定偏置电路及高效散热设计（建议使用铜基板+强制风冷）以发挥最佳性能，不适用于低于1.5 GHz或高于2.7 GHz的宽频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19170HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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