Datasheet下载- 型号： MRF7S19170HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19170HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19170HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19170HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19170HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19170HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF7S19170HSR3的射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件由NXP USA Inc.生产，是一款高性能的射频功率晶体管，适用于工作频率在700MHz至1GHz之间的无线通信系统。 MRF7S19170HSR3常用于蜂窝通信基站，如4G LTE和5G通信基础设施中的射频功率放大器模块。它具备高效率、高线性和高可靠性等优点，适合用于多载波无线基站、远程无线电头端（RRH）以及分布式天线系统（DAS）等应用场景。 此外，该器件也可用于广播系统、工业设备、测试设备和专业移动无线电系统中，作为射频信号的功率放大元件。其封装形式为高散热效率的封装，适合在高功率条件下稳定工作，满足通信行业对高可靠性和高性能的严格要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19170HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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