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- 型号： MRF7S19170HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19170HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19170HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19170HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19170HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19170HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19170HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、LTE Band 2/25）设计，典型工作频率范围为 1805–1990 MHz。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站、微基站及分布式基站（DAS）中的末级射频功放（PA），支持高线性度 LTE / 5G NR（Sub-6 GHz）信号放大，满足ACLR和EVM等严苛指标。 - 无线通信基础设施：适用于多载波（MC-CDMA、OFDMA）系统，具备高增益（典型17 dB）、高输出功率（170 W P1dB，脉冲或连续波模式）和高效率（典型65%漏极效率），可降低散热与供电负担。 - 工业与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA/LMR）、小型蜂窝回传、固定无线接入（FWA）设备中对可靠性、热稳定性和宽带匹配要求较高的射频发射链路。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异的热管理能力与长期可靠性，支持AB类偏置，兼容主流射频驱动方案。需配合匹配网络、温度补偿电路及ESD保护设计使用。 （注：型号后缀“R5”表示卷带包装，不影响电气性能。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19170HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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