Datasheet下载- 型号： MRF7S19120NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19120NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19120NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19120NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19120NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19120NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19120NR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD/TDD 基站）设计。其典型应用场景包括：宏基站（Macrocell）和微基站（Microcell）中的功率放大器（PA）模块，尤其适用于 1880–1930 MHz（中国 TDD-LTE B39）、1920–1980 MHz（全球 PCS/WCDMA Band II/XXI）等频段；支持高效率、高线性度的多载波信号放大，满足 5G 前向兼容的4G LTE 系统对ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）的严苛要求；亦可用于无线直放站、分布式天线系统（DAS）及小功率射频测试设备中的末级功放。该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780），具备优异的热稳定性和功率耐受能力（连续波输出达120 W，脉冲模式更高），配合匹配电路可实现>65% 的漏极效率与>18 dB 功率增益。需注意：实际应用中须严格遵循NXP推荐的PCB布局、散热设计及驱动偏置条件，以确保可靠性与长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF7S19120NR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 36W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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