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产品简介:
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MRF7S19100NR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频(RF)LDMOS MOSFET晶体管,专为2.4–2.5 GHz频段(如Wi-Fi 802.11b/g/n/ac、WLAN基站、无线接入点、小型蜂窝基站(Small Cell)及ISM频段应用)设计。其典型应用场景包括: - 2.4 GHz无线通信基础设施:用于企业级/运营商级Wi-Fi AP、分布式天线系统(DAS)和室内小型蜂窝基站的末级功率放大器(PA),支持高线性度与高效率; - 工业、科学与医疗(ISM)设备:如2.45 GHz微波加热控制、RF等离子体发生器、无线传感器网络节点等需稳定射频输出的场景; - 宽带射频功率放大:具备100 W(连续波)输出能力、高增益(典型16 dB @ 2.4 GHz)及良好热稳定性,适用于窄带/中宽带(如20–80 MHz瞬时带宽)放大需求; - 符合RoHS标准的高可靠性应用:采用气腔陶瓷封装(NI-780H-4L),支持风冷或液冷散热,适用于长期连续运行的通信设备。 该器件强调在高功率密度下保持低失真与高能效,特别适配需兼顾EVM(误差矢量幅度)与ACPR(邻道功率比)指标的现代数字调制信号(如OFDM、QAM)。不适用于低于1 GHz或毫米波频段,亦非通用开关/电源管理用途。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF7S19100NR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |