Datasheet下载- 型号： MRF7S19080HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19080HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19080HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19080HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19080HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19080HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19080HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高频、高功率放大应用设计。其典型工作频率为1.9–2.0 GHz（如PCS/DCS/WCDMA/LTE 1900频段），额定输出功率达80 W（连续波，CW），具备高增益（约17 dB）、高漏极效率（典型值65%）和优异的热稳定性。 主要应用场景包括： ✅ 蜂窝基站功率放大器：广泛用于4G LTE及部分5G Sub-6 GHz宏基站和微基站的末级功放（PA），支持多载波信号（如2×20 MHz LTE），满足ACLR与EVM等严苛线性度要求； ✅ 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和直放站（Repeater）中的射频发射链路； ✅ 工业与广播通信：适用于ISM频段（如2.4 GHz）的高可靠性RF功率放大模块，以及专业无线通信（如公共安全TETRA、PMR）系统； ✅ 测试与仪表：作为宽带射频信号源或功率放大模块，用于EMC测试、射频实验室及自动化测试系统。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高功率密度与高效散热，配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案，可实现稳定可靠的线性放大性能。需注意其为高电压器件（VDD=28 V），须搭配专业射频PCB布局、阻抗匹配及静电防护设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19080HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 750mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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