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- 型号： MRF7S18170HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18170HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18170HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18170HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S18170HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18170HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S18170HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为蜂窝基站和无线基础设施设计。其典型应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站功率放大器（PA）：工作频段覆盖 1805–1880 MHz（B3 上行/下行频段），支持高线性度与高效率的多载波信号放大； - 分布式天线系统（DAS）和小型基站（Small Cell）：在中等功率（峰值输出功率约 170 W，平均输出功率约 25–35 W）场景下提供稳定、低失真的射频输出； - 宽带无线接入设备（如 WiMAX 或专网通信基站）：得益于其宽频带匹配能力与高增益（典型16 dB @ 1.8 GHz），适用于需兼顾带宽与效率的商用/工业级射频发射链路； - 广播辅助发射与测试系统：作为实验室或产线射频功率模块的核心器件，用于信号发生、OTA 测试及功放子系统开发。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理能力与高可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、256-QAM）下的长期运行，符合基站设备严苛的 MTBF 与环境适应性要求。注意：实际应用中需配合匹配网络、偏置电路与散热设计，并遵循 NXP 推荐的驱动条件与ESD防护规范。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S18170HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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