Datasheet下载- 型号： MRF7S18125BHR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18125BHR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18125BHR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18125BHR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S18125BHR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18125BHR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S18125BHR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1880 MHz 或 1930–1990 MHz），额定输出功率达 125 W（连续波），适用于高效率、高线性度的射频功率放大场景。其主要应用场景包括： - 4G LTE 基站功率放大器：广泛用于宏基站和微基站的末级功放（PA），支持多载波信号（如2×20 MHz LTE），满足ACLR与EVM严苛指标； - 无线通信基础设施：适配Doherty架构，提升整机效率（典型PAE > 55% @ 1880 MHz），降低散热与能耗； - ISM频段工业设备：在部分1.8–2.0 GHz工业加热、等离子体发生器等高功率射频源中作为核心功率器件； - 广播与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA/LTE-based）、海上/航空宽带通信的中继放大模块。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与可靠性，支持+28 V或+32 V单电源供电，内置ESD保护与匹配输入/输出端口，简化外围电路设计。需配合NXP推荐的驱动级（如MRF6P21190）及优化PCB布局（低感接地、阻抗控制）以发挥最佳性能。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S18125BHR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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