Datasheet下载- 型号： MRF7S18125AHSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18125AHSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18125AHSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18125AHSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S18125AHSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18125AHSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S18125AHSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.8–2.2 GHz 频段（典型用于 B1/B3/B7/B8 等 LTE/FDD-TDD 基站频段）设计。其典型应用场景包括： - 4G/5G 宏基站与小型基站（Small Cell）功率放大器（PA）：支持高输出功率（125W P1dB）、高增益（≥16 dB）和高效率（典型漏极效率 >55%），适用于多载波、高阶调制（如256-QAM）的基站末级功放。 - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及远程射频单元（RRU）中的宽带射频功放模块，满足严苛的ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）指标要求。 - 工业与专用通信系统：适用于公共安全通信（如TETRA、P25）、宽带无线接入（WiMAX遗留系统）及点对点微波回传链路的中高功率发射级。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异热性能与可靠性，支持连续波（CW）及复杂OFDM信号工作；内置ESD保护，符合RoHS标准。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，常搭配NXP配套驱动器（如MW6S010N）构成完整射频PA方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S18125AHSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 1.88GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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