Datasheet下载- 型号： MRF7S15100HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S15100HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S15100HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S15100HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S15100HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S15100HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S15100HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，主要用于 1.5–1.6 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站应用）。其典型应用场景包括：宏蜂窝及微蜂窝基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于多载波、高效率、高线性度要求的通信系统；支持 Doherty 架构以提升平均效率；适用于 4G LTE 和早期 5G NR（n1/n2/n25/n66 等频段）基站发射链路；亦可用于无线基础设施中的中继器、直放站和小型基站（Small Cell）PA 模块。该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异的热稳定性和功率耐受能力（输出功率达 100 W CW 或峰值），支持高增益（>17 dB）与高漏极效率（典型值 >55% @ 1.57 GHz），并集成ESD保护。需配合匹配电路、偏置网络及散热设计使用，常见于通信设备制造商（如爱立信、诺基亚供应商体系）的射频功放子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S15100HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 600mA |
| 频率 | 1.51GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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