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型号： MRF7P20040HSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7P20040HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7P20040HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7P20040HSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7P20040HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7P20040HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7P20040HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，主要用于 2.0–2.2 GHz 频段（如 S 波段），典型工作频率为 2110–2170 MHz（LTE FDD Band 1 上行/下行）及 2.0–2.025 GHz（WCDMA、5G NR n1/n28 等）。其封装为 NI-780H-4L（高热效陶瓷封装），具备 40 W 连续波（CW）输出功率与高增益（典型 17 dB）、高效率（>60% 漏极效率），支持 28 V 单电源供电。

主要应用场景包括：  
• 蜂窝基站射频功率放大器（PA）：广泛用于宏基站、微基站和小基站的末级功放模块，支持 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 多载波（MC-OFDMA）信号；  
• 无线通信基础设施：适用于中继站、分布式天线系统（DAS）及有源天线单元（AAU）中的宽带射频发射链路；  
• 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、专网 LTE（e.g., B-TrunC）、雷达测试源及ISM频段设备（需符合2.0–2.2 GHz许可范围）。

该器件强调高线性度与热稳定性，配合外部匹配电路可满足ACLR、EVM等严苛通信标准，适用于需高可靠性、长期连续运行的室外基站环境。注意：实际应用需严格遵循NXP推荐的PCB布局、散热设计（建议使用铜基板+强制风冷/液冷）及驱动级匹配方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7P20040HSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780HS-4
功率-输出	10W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	18.2dB
封装/外壳	NI-780HS-4
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	50
电压-测试	32V
电压-额定	65V
电流-测试	150mA
频率	2.03GHz
额定电流	10µA