Datasheet下载- 型号： MRF7P20040HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7P20040HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7P20040HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7P20040HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7P20040HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7P20040HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7P20040HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：适用于 1800–2200 MHz 频段（如 LTE Band 3、Band 7、Band 38/40/41），常用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），支持多载波、高阶调制（如 256-QAM）。 - 无线基础设施设备：广泛应用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站发射链路中，尤其适合需要高输出功率（典型 P3dB = 40 W）、高增益（>17 dB）和高漏极效率（>60% @ 2140 MHz）的场景。 - 宽带射频放大系统：具备良好的宽带匹配特性（覆盖 1.8–2.2 GHz），适用于软件定义无线电（SDR）、测试仪器、雷达激励源等需频率灵活配置的射频系统。 - 工业与广播应用：可用于 RFID 读写器功放、医疗射频加热设备及低功率广播发射模块等对可靠性与热稳定性要求较高的场合。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1229A），集成ESD保护，支持高结温（Tj ≤ 200°C）运行，配合NXP推荐的偏置电路与匹配网络，可实现优异的线性度（ACPR < –45 dBc）和长期工作稳定性。需搭配专业射频PCB布局与散热设计以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF7P20040HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 2.03GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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