【未分类_MRF6VP41KHSR5】封装/厂家_MRF6VP41KHSR5中文资料_价格

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型号： MRF6VP41KHSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP41KHSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP41KHSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP41KHSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6VP41KHSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP41KHSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6VP41KHSR5 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高功率应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 L/S 波段），额定输出功率达 1 kW（脉冲或连续波模式），具备高增益（约 17 dB）、高漏极效率（>65%）及优异的热稳定性和可靠性。

主要应用场景包括：  
✅ 广播电视发射系统：用于 UHF 频段（如 470–862 MHz）数字电视（DTMB、DVB-T/T2）和调频广播（FM）的末级功率放大器；  
✅ 无线通信基础设施：适用于 5G 基站的宏蜂窝/预商用中继放大、雷达模拟前端及点对点微波通信中的高线性度功放模块；  
✅ 工业与科研设备：如射频加热、等离子体发生器、MRI 射频功率源等需要高功率、宽温度范围（−40°C 至 +150°C）稳定工作的场景；  
✅ 国防与航空电子：雷达发射机（如气象雷达、空中交通管制雷达）中的固态功率放大器（SSPA）替代传统真空管方案。

该器件采用陶瓷金属封装（SOT-1397），带铜底座以增强散热，需配合匹配电路与高效散热系统使用。注意：实际应用中须严格遵循 NXP 提供的参考设计、PCB 布局指南及驱动偏置条件（推荐 Class AB 工作模式），以确保线性度、互调抑制（IMD3 < −30 dBc）及长期可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6VP41KHSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230S
功率-输出	1000W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20dB
封装/外壳	NI-1230S
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	50
电压-测试	50V
电压-额定	110V
电流-测试	150mA
频率	450MHz
额定电流	5mA