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- 型号： MRF6VP121KHR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP121KHR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP121KHR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP121KHR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6VP121KHR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP121KHR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6VP121KHR6 是 NXP（恩智浦）推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，属于晶体管 – FET，MOSFET – 射频类别。该器件专为高功率、高效率的宽带射频放大应用设计，典型工作频率范围为 1.2–1.4 GHz（如 L 波段），可支持连续波（CW）或脉冲/调制信号输出。 主要应用场景包括： - 民用及军用雷达系统：如空中交通管制（ATC）、气象雷达、地面监视雷达等，利用其高增益（典型>18 dB）、高输出功率（1200 W 峰值脉冲功率，600 W 平均功率）和优异的热稳定性； - 电子对抗（ECM）与通信干扰设备：适用于大功率宽带射频干扰源，具备快速响应与高可靠性； - 工业射频加热与等离子体发生器：在 1.3 GHz 左右频段提供稳定大功率驱动； - 科研与测试系统中的高功率射频源模块：如粒子加速器激励器、EMC 大功率辐射抗扰度测试发射链路。 该器件采用陶瓷金属气密封装（SOT-1227B），支持强制风冷或水冷，具备出色的耐击穿能力（VDS 最高 135 V）和高可靠性（符合 MIL-STD-750/883 标准）。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热方案使用。 注：“品牌为-”可能为信息缺失，实际品牌为 NXP（原 Freescale 射频部门）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6VP121KHR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 1.03GHz |
| 额定电流 | 100µA |
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