Datasheet下载- 型号： MRF6VP121KHR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP121KHR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP121KHR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP121KHR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6VP121KHR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP121KHR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6VP121KHR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高功率、高频率通信系统设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站发射系统：适用于 1.2–1.4 GHz 频段（如 LTE Band 3/7/38/40），常用于宏基站和中继站的末级功率放大器（PA），支持多载波信号与高效率 Doherty 架构； - 广播与无线传输设备：可用于 UHF 频段电视发射机、数字地面广播（DTMB/DVB-T2）激励器及中功率射频源； - 工业与科研射频应用：如等离子体发生器、RF 加热、MRI 射频功放模块等需稳定大功率输出（连续波输出达 120W，脉冲可达更高）的场景； - 军用与航空通信：满足严苛环境要求，应用于战术电台、雷达辅助发射链路及电子对抗（EW）系统的宽带高线性放大环节。 该器件采用陶瓷金属封装（SOT-1229），具备优异的热稳定性、高增益（典型17 dB @ 1.3 GHz）和高漏极效率（>65%），支持50 V 供电，内置ESD保护与良好匹配特性，简化外围电路设计。需配合NXP推荐的散热方案与阻抗匹配网络以确保可靠性与性能发挥。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V NI1230H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6VP121KHR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 965MHz ~ 1.215GHz |
| 额定电流 | - |
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