【未分类_MRF6VP11KGSR5】封装/厂家_MRF6VP11KGSR5中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF6VP11KGSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP11KGSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP11KGSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP11KGSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6VP11KGSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP11KGSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6VP11KGSR5 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为高功率、高频率宽带应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 L/S 波段），额定输出功率达 1000 W（脉冲或连续波），具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型漏极效率 >65%）和优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝基站发射系统：广泛用于 4G LTE 及 5G Sub-6 GHz 宏基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于 TDD/FDD 架构中的多载波宽带信号放大；  
✅ 广播与无线传输设备：如数字电视（DTMB、DVB-T/T2）和调频广播（FM）发射机的高线性度末级功放；  
✅ 雷达与电子对抗系统：适用于军用/民用雷达的 S 波段脉冲功率放大模块，支持高占空比和快速开关；  
✅ 工业与科学射频源：如等离子体发生器、MRI 射频激励源及 RF 加热系统等需稳定大功率射频输出的场景。

该器件采用陶瓷金属气密封装（SOT-1222-1），内置ESD保护与温度传感二极管，支持偏置反馈与闭环热管理，适配高可靠性要求的通信基础设施。需配合匹配网络、散热器及负压栅极驱动电路使用。  

（注：实际应用须严格遵循NXP官方数据手册与参考设计，确保阻抗匹配、供电稳定及热设计合规。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 1000W NI-1230GS
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6VP11KGSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230S-4 鸥翼型
功率-输出	1000W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	26dB
封装/外壳	NI-1230S-4 GW
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	50V
电压-额定	110V
电流-测试	150mA
频率	150MHz
额定电流	5mA