Datasheet下载- 型号： MRF6VP11KGSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP11KGSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP11KGSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP11KGSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6VP11KGSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP11KGSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF6VP11KGSR5 是一款高功率射频MOSFET晶体管，属于射频功率放大器器件，广泛应用于需要高效率和高稳定性的射频系统中。该器件主要工作在VHF（甚高频）至UHF（特高频）频段，适用于800 MHz至1000 MHz范围内的无线通信系统。 其典型应用场景包括：陆地移动无线电（如公共安全通信、消防、警察等专业对讲系统）、基站功率放大器模块、工业与商业无线通信设备，以及广播和多媒体传输系统中的射频功率放大环节。由于具备高增益、良好的热稳定性和出色的线性性能，MRF6VP11KGSR5特别适合用于大功率模拟或数字调制信号的放大，例如在TETRA、iDEN、GSM-R 和其他专用无线网络中作为最终功率放大级。 此外，该器件采用先进的封装技术，具有优异的散热性能和可靠性，能够在高温、高负载环境下长时间稳定运行，适合严苛的工业和户外使用条件。其高耐用性和抗失配能力强的特点也使其在复杂电磁环境中表现出色。 综上所述，MRF6VP11KGSR5 主要应用于专业移动无线电通信系统和基础设施中的高功率射频放大场景，是保障关键通信链路稳定运行的核心元器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 1000W NI-1230GS |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6VP11KGSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S-4 鸥翼型 |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 26dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S-4 GW |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 150MHz |
| 额定电流 | 5mA |
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