Datasheet下载- 型号： MRF6V2010GNR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V2010GNR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V2010GNR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V2010GNR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6V2010GNR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V2010GNR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的型号为 MRF6V2010GNR5 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的射频类别。这类器件主要应用于高频、高功率的射频场景，具体应用场景包括： 1. 射频功率放大器：该型号适用于无线通信基站中的射频功率放大器，能够高效放大高频信号，满足 3G、4G 和早期 5G 网络的需求。 2. 广播系统：在 FM 或 AM 广播发射机中，MRF6V2010GNR5 可用于信号的功率放大，确保广播信号覆盖更广的区域。 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域：在 ISM 频段的应用中，如无线能量传输、等离子体生成或医疗设备中的射频加热，该器件可提供稳定的功率输出。 4. 航空航天与国防：用于雷达系统、卫星通信以及军用无线电设备中的射频功率放大，确保信号的远距离传输和高可靠性。 5. 业余无线电：为业余无线电爱好者提供高性能的射频功率放大解决方案，支持长距离通信。 MRF6V2010GNR5 具有高功率处理能力、低热阻和高效率的特点，使其非常适合需要高可靠性和高性能的射频应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6V2010GNR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-270AA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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