【未分类_MRF6V14300HSR3】封装/厂家_MRF6V14300HSR3中文资料_价格

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型号： MRF6V14300HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V14300HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V14300HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V14300HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6V14300HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V14300HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6V14300HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高频、高功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.4–1.5 GHz（如 L 波段），额定输出功率达 300 W（连续波），具备高增益（约 17 dB）、高漏极效率（>65%）及优异热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 雷达系统：广泛用于气象雷达、空中交通管制（ATC）雷达及军用脉冲雷达的末级功率放大器（PA），满足高功率、高可靠性和宽脉冲调制需求；  
✅ 无线通信基础设施：适用于 4G LTE 及部分 5G 基站的宏蜂窝射频功放模块（尤其在 1.427–1.525 GHz 频段），支持高线性度与宽带匹配；  
✅ 电子对抗（EW）与测试设备：作为宽带/窄带干扰发射机、高功率射频信号源及ATE（自动测试设备）中的驱动/输出级核心器件；  
✅ 工业与科学射频源：如等离子体发生器、MRI 射频激励源等需稳定大功率射频能量输出的场景。

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持风冷或液冷散热，符合 RoHS 标准，并内置ESD保护结构，适合严苛工业与军事环境。其“HSR3”后缀表明为无铅、符合环保要求的卷带式封装版本，便于自动化贴装。

（注：实际应用需严格遵循NXP官方数据手册进行阻抗匹配、偏置设计与热管理，以确保可靠性与性能。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 50V NI780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6V14300HSR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	330W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	50V
电压-额定	100V
电流-测试	150mA
频率	1.4GHz
额定电流	10µA