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产品简介:
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NXP USA Inc.生产的MRF6V13250HSR5是一款射频功率晶体管,属于FET(场效应晶体管)中的MOSFET类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频场景,以下是其典型的应用领域: 1. 无线通信基站:MRF6V13250HSR5适用于蜂窝基站中的射频功率放大器,支持高效传输和接收信号。它能够满足现代通信标准(如4G LTE和5G)对高线性度和高效率的需求。 2. 广播系统:用于调频(FM)和电视广播的发射机中,提供稳定的射频输出功率,确保高质量的信号覆盖。 3. 航空航天与国防:在雷达系统、卫星通信和其他国防应用中,这款晶体管可以实现高性能的射频信号处理和放大,适应苛刻的工作环境。 4. 工业、科学和医疗(ISM)设备:例如微波加热、等离子体生成和射频治疗设备等,需要高功率射频源的场合。 5. 测试与测量仪器:在射频信号发生器和分析仪中,作为功率放大组件,帮助生成精确的测试信号。 MRF6V13250HSR5以其高功率处理能力、宽频率范围和出色的效率特性,成为上述应用的理想选择。此外,其耐用性和可靠性也使其适合长时间运行的关键任务场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6V13250HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 230W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 120V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 1.3GHz |
| 额定电流 | - |