【未分类_MRF6V13250HSR5】封装/厂家_MRF6V13250HSR5中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF6V13250HSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V13250HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V13250HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V13250HSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6V13250HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V13250HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6V13250HSR5 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高功率、高频通信应用设计。其典型工作频率范围为1.3–1.6 GHz（支持L波段至部分S波段），额定输出功率达250 W（连续波，CW），具备高增益（约18 dB）、高效率（典型值＞65%）及优异的热稳定性和可靠性。

主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝基站发射系统：广泛用于4G LTE及5G宏基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于1.4 GHz频段（如LTE Band 11/17/20/39）及TDD/FDD架构中的远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）。  
✅ 公共安全与专用无线通信：支持TETRA、P25等标准的中继台与基站功放模块，满足高线性度与宽动态范围需求。  
✅ 雷达与电子对抗（EW）系统：适用于L波段战术雷达发射机、干扰机等需高脉冲功率与快速响应的军用/工业场景。  
✅ 广播与宽带无线接入：可用于数字地面电视（DTMB）发射机及WiMAX基站的射频末级放大。

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），集成ESD保护与优化的输入/输出阻抗匹配，便于系统集成；配合NXP推荐的驱动电路与散热方案，可实现紧凑、高效、高可靠性的射频功率解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 50V NI780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MRF6V13250HSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	230W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	50V
电压-额定	120V
电流-测试	10mA
频率	1.3GHz
额定电流	-