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  • 型号: MRF6V12500HSR5
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V12500HSR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V12500HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V12500HSR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6V12500HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6V12500HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF6V12500HSR5是一款射频(RF)晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频放大器领域,以下是其主要应用场景:

 1. 无线通信基站
   - MRF6V12500HSR5适用于蜂窝通信基站中的射频功率放大器(PA),特别是在4G LTE和早期5G网络中。它能够提供高效率和高增益,支持多载波操作。
   - 在基站中,该晶体管用于增强信号强度,确保覆盖范围广且信号质量稳定。

 2. 航空航天与国防
   - 该型号可用于雷达系统、卫星通信设备和军用无线电中。其高功率处理能力和稳定性使其适合需要长距离传输的应用场景。
   - 例如,在相控阵雷达中,MRF6V12500HSR5可以作为驱动级或末级功率放大器,实现高效的信号发射。

 3. 广播系统
   - 在FM/AM广播系统中,这款晶体管可以用作功率放大器的核心组件,帮助提升广播信号的覆盖范围和清晰度。
   - 它支持宽带操作,适应多种频率范围的需求。

 4. 工业、科学和医疗(ISM)应用
   - MRF6V12500HSR5也可用于ISM频段内的设备,如工业加热装置、等离子体发生器和医疗成像设备。这些应用需要高功率射频信号来驱动负载。

 5. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中,该晶体管可作为信号源或功率放大器的一部分,为测试环境提供稳定的高功率射频信号。

 性能特点
- 高功率输出:支持高达数百瓦的射频输出功率。
- 宽频带支持:覆盖从几十MHz到几GHz的频率范围。
- 高效率:采用先进的半导体工艺,降低功耗并提高系统效率。
- 可靠性强:设计用于恶劣环境,具有良好的热管理和耐用性。

综上所述,MRF6V12500HSR5是一款专为高性能射频应用设计的晶体管,广泛应用于通信、国防、广播和工业领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230H

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MRF6V12500HSR5

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

NI-780S

功率-输出

500W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

19.7dB

封装/外壳

NI-780S

晶体管类型

LDMOS

标准包装

50

电压-测试

50V

电压-额定

100V

电流-测试

200mA

频率

1.03GHz

额定电流

-

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