Datasheet下载- 型号： MRF6V10250HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V10250HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V10250HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V10250HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6V10250HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V10250HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6V10250HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 晶体管，专为高功率、高频率通信系统设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：适用于 1.8–2.2 GHz 频段（如 LTE、WCDMA、5G Sub-6 GHz 基站宏站/微站），支持连续波（CW）或复杂调制信号（如 OFDM），单管可输出高达 250 W（峰值）或 100 W（平均）射频功率； - 广播与宽带无线基础设施：用于 UHF 频段电视发射机、点对多点通信系统及公共安全无线中继设备； - 工业与科研射频源：如 MRI 射频功放模块、等离子体发生器、RF 加热系统等需稳定高效率射频能量输出的场景； - 军用与航空通信：符合严苛可靠性标准，适用于战术电台、雷达激励级或电子对抗（ECM）系统的固态功率放大链路。 该器件采用高热效气腔陶瓷封装（NI-780H），集成ESD保护，具备优异的增益（约 19 dB）、高功率附加效率（PAE > 65%）和良好线性度，支持宽带匹配设计。需配合专业射频电路（输入/输出阻抗匹配网络、偏置电路、散热系统）及严格热管理使用。 注：实际应用须遵循NXP官方数据手册（Rev. 4）及射频安全规范，不可用于消费类终端设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6V10250HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 100V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 频率 | 1.09GHz |
| 额定电流 | 2mA |
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