【未分类_MRF6V10250HSR3】封装/厂家_MRF6V10250HSR3中文资料_价格

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型号： MRF6V10250HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V10250HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V10250HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V10250HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6V10250HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V10250HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6V10250HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 2.14 GHz LTE/5G 频段），输出功率达 250 W（连续波），具备高增益（约 17 dB）、高漏极效率（>65%）及优异的热稳定性和可靠性。

主要应用场景包括：  
✅ 5G 基站宏蜂窝功率放大器：用于 Sub-6 GHz 频段（如 n1/n2/n25/n41/n77）的远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）中的末级功放；  
✅ LTE-A 及 4G 基站发射链路：适用于大区覆盖基站的多载波宽带功率放大模块；  
✅ 广播与无线通信基础设施：如点对多点微波回传、公共安全通信系统（TETRA/P25）的高线性度功放设计；  
✅ 工业与科研射频源：如等离子体发生器、MRI 射频激励源等需稳定大功率 RF 输出的非通信领域。

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持风冷或液冷散热，符合 RoHS 标准，并通过严格的 AEC-Q200 类可靠性验证（部分版本），适用于严苛的室外通信环境。需配合匹配网络、偏置电路及保护机制（如VSWR 折返、过温关断）使用，以发挥最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH NI780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6V10250HSR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	250W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	21dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	50V
电压-额定	100V
电流-测试	250mA
频率	1.09GHz
额定电流	2mA