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- 型号： MRF6S9160HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9160HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9160HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9160HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S9160HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9160HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9160HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 900–960 MHz 频段设计（典型用于 GSM、EDGE、LTE-FDD 及窄带无线通信系统）。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（Remote Radio Head, RRH）的末级功放，支持高输出功率（典型160 W连续波或脉冲输出）与高效率（>65%），满足多载波GSM/EDGE系统严苛的线性度与散热要求。 - 工业、科学与医疗（ISM）频段设备：适用于915 MHz ISM频段的射频加热、等离子体发生器及无线能量传输系统，得益于其高耐压（VDS = 65 V）、强抗失配能力（10:1 VSWR 稳定工作）和鲁棒热设计。 - 广播与无线通信基础设施：可用于数字地面电视（DTTB）激励器、专用移动无线电（PMR）、TETRA 基站及物联网（IoT）广域网关的射频发射链路。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异的热传导性能与长期可靠性，支持高增益（典型17 dB）和良好互调抑制（IMD3 < –30 dBc），适用于需高功率、高线性与高稳定性的商用通信基础设施场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S9160HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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