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- 型号： MRF6S27085HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S27085HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S27085HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S27085HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S27085HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S27085HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S27085HR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其原始制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率范围为 2.7–2.9 GHz，典型输出功率达 85 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。 主要应用场景包括： - 4G/5G基站射频功放模块：尤其适用于2.6–2.9 GHz频段的宏基站和小型基站（Small Cell）末级功率放大器（PA），支持TD-LTE及n41/n77等5G NR频段； - 无线通信基础设施：如点对点微波回传、公共安全通信系统、专网（TETRA、P25）基站射频终端； - 工业与医疗射频源：如RF加热、等离子体发生器、MRI射频激励源等中高频大功率固态射频电源； - 测试与测量设备：作为信号源或功率放大单元，用于EMC抗扰度测试、OTA测试系统等需要稳定大功率射频输出的场合。 该器件采用陶瓷封装（如NI-780H），具备优异热稳定性与高可靠性，支持AB类或Doherty架构设计，配合匹配电路可实现高增益（>16 dB）、高漏极效率（>55%）及良好ACLR性能，满足严苛的通信标准要求。需注意其驱动电压、偏置电路及散热设计须严格遵循NXP官方参考设计（如AN1955）以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S27085HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 190MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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