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- 型号： MRF6S24140HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S24140HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S24140HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S24140HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S24140HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S24140HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S24140HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计（典型工作频段：2400–2500 MHz），采用高热效气腔封装（HVTO-264），支持连续波（CW）和高效率宽带调制信号（如WCDMA、LTE、WiMAX）。其主要应用场景包括： - 无线通信基站：适用于 2.4 GHz ISM 频段的小型蜂窝（Small Cell）、微基站（Micro/Pico Base Station）及分布式天线系统（DAS）中的末级功率放大器（PA），提供高达140 W输出功率（峰值）与优异的线性度和效率（典型PAE > 55% @ 2.45 GHz）。 - 工业、科学与医疗（ISM）设备：用于 2.45 GHz 工业加热、等离子体发生器、MRI射频源及RF能量应用，得益于其高可靠性、耐高VSWR能力（10:1）及鲁棒的热管理设计。 - 宽带无线接入系统：支持 IEEE 802.11ac/ax（Wi-Fi 6）回传链路、点对点微波中继（2.4 GHz 波段）等需高功率、高稳定性的射频前端。 该器件需配合匹配网络、稳定偏置电路及高效散热方案使用，广泛应用于要求高功率密度、长期运行可靠性和良好互调抑制（IMD3 < –35 dBc）的商用与工业级射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 140W 28V NI-88OS |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S24140HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.39GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 3／64" CR 1000'.jpg)
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