【未分类_MRF6S24140HR3】封装/厂家_MRF6S24140HR3中文资料_价格

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型号： MRF6S24140HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S24140HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S24140HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S24140HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S24140HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S24140HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S24140HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.4–2.5 GHz频段设计，典型应用包括：

1. 无线通信基站：广泛用于4G LTE及5G Sub-6 GHz宏基站和微基站的射频功率放大器（PA）末级，支持高线性度、高效率的宽带信号放大（如20–40 MHz带宽OFDMA信号）。

2. Wi-Fi 6/6E 接入点与企业级AP：适用于高密度场景下的2.4 GHz频段高功率射频前端，提升覆盖范围与多用户吞吐量。

3. 工业/医疗射频源：在ISM频段（2.4–2.5 GHz）设备中，如RF加热、等离子体发生器、磁共振激励模块等，利用其140W连续波（CW）输出能力与高可靠性。

4. 测试与测量仪器：作为射频信号发生器、功率放大模块的核心器件，满足宽带、低失真、稳定输出需求。

该器件采用气腔陶瓷封装（R3），具备优异热管理性能与高增益（典型20 dB @ 2.45 GHz）、高漏极效率（>60% @ P1dB），并支持AB类偏置以兼顾线性度与效率。需配合匹配网络、稳定电路及高效散热设计使用。  

（注：“品牌为-”应为NXP；型号后缀“HR3”代表特定封装与编带规格。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 140W NI-880
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S24140HR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880
功率-输出	28W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	15.2dB
封装/外壳	NI-880
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	1.3A
频率	2.39GHz
额定电流	10µA