【未分类_MRF6S23140HR3】封装/厂家_MRF6S23140HR3中文资料_价格

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型号： MRF6S23140HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S23140HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S23140HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S23140HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S23140HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S23140HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S23140HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.3–2.4 GHz 频段设计（典型工作频段：2300–2400 MHz），采用气腔陶瓷封装（TO-270WB-4），支持高功率、高效率连续波（CW）及复杂调制信号（如OFDMA、WCDMA、LTE）放大。

主要应用场景包括：  
✅ 4G/5G 小基站（Small Cell）和微基站（Microcell）：用于2.3 GHz频段TDD-LTE或NR（n40）射频末级功率放大（PA），满足中等功率（~140 W峰值输出）与高线性度需求；  
✅ 无线宽带接入系统（如WiMAX、BWA）：在2.3–2.4 GHz频段提供高效功率放大；  
✅ 工业、科研与医疗射频源：如等离子体发生器、MRI射频激励模块、RF加热设备中的固态功率放大级；  
✅ 军用与航空通信子系统：适用于抗干扰要求较高的战术通信或数据链路发射前端（需符合相关可靠性与温度等级要求）。

该器件具备高增益（典型16 dB）、高漏极效率（>60% @ 2.35 GHz, CW）、良好热稳定性（结温可达200°C），并支持宽带匹配设计。需配合NXP推荐的驱动级（如MRF6P23190）及优化的PCB布局与散热方案（建议使用铜基板+强制风冷或液冷）以发挥最佳性能。  

注意：已停产（EOL），现多用于存量设备维护或替代设计评估，新项目建议参考NXP新一代宽禁带（GaN）或升级版LDMOS型号（如MHT1001N）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S23140HR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880
功率-输出	28W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	15.2dB
封装/外壳	NI-880
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	1.3A
频率	2.39GHz
额定电流	10µA