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- 型号： MRF6S21190HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21190HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21190HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21190HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21190HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21190HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21190HSR5 是一款由 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型用于 PCS/UMTS/WCDMA/LTE 基站的 2110–2170 MHz 上行/下行频段）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛应用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级射频功放模块，支持高线性度、高效率（典型漏极效率达 55% @ 2.14 GHz），满足 4G LTE 和 5G NSA 模式下对 ACPR 和 EVM 的严苛要求。 - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）的射频单元（RRU），尤其适用于需高输出功率（连续波输出达 190 W，脉冲模式更高）与良好热稳定性的场景。 - 工业与专用无线系统：在点对点微波回传、公共安全通信（如 TETRA、P25 扩展频段）及宽带无线接入（WiMAX 曾用）中，作为高可靠性射频功率源。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异散热性能和高可靠性（符合 Telcordia GR-468 标准），支持 28 V 或 32 V 供电，常配合预失真（DPD）技术使用以提升线性度。注意：实际应用中需严格遵循 NXP 提供的参考电路、PCB 布局指南及匹配网络设计，确保阻抗匹配与稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 54W NI880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21190HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 54W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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