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- 型号： MRF6S21100NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21100NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21100NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21100NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21100NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21100NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21100NBR1 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如W-CDMA、LTE 2100 MHz频段）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：作为宏基站或中继站末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率，满足3G/4G LTE系统对ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）的严苛要求； - 无线基础设施设备：适用于多载波宽带系统（如2×20 MHz LTE配置），在100 W连续波（CW）或脉冲输出下稳定工作； - 工业/科研射频源：用于医疗射频消融、等离子体发生器等需2.1 GHz附近高功率射频信号的非通信领域（需定制匹配与散热设计）； - 广播与专用无线系统：在部分宽带点对多点（PMP）或专网通信设备中作高增益射频功放核心器件。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780），具备优异热性能与可靠性，支持50 V供电，需配合精确的输入/输出阻抗匹配网络及高效散热方案（如强制风冷或液冷）。不适用于低频开关电源或数字逻辑开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S21100NBR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.05A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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