Datasheet下载- 型号： MRF6S21100MR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21100MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21100MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21100MR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21100MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21100MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21100MR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2110–2170 MHz），主要用于蜂窝通信基站中的功率放大器（PA）模块。其典型应用场景包括： - 4G LTE 宏基站与微基站：作为末级功率放大器，支持高线性度、高效率（典型漏极效率达 55% @ 2140 MHz），满足 LTE 20 MHz 带宽、高阶调制（如 64-QAM）对ACLR和EVM的严苛要求； - 5G Sub-6 GHz 基站前传/分布式单元（DU）：兼容部分n1/n3/n28等FDD/TDD频段，适用于中低功率（100 W P3dB）多载波应用； - 宽带无线接入系统（如WiMAX演进型设备）及专用无线通信基础设施（如公共安全、专网TETRA/LTE）； - 工业与科研射频源：用于医疗射频消融、等离子体发生器等需稳定连续波（CW）或脉冲输出的中功率射频激励场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（MR1），具备优异热稳定性与可靠性，支持AB类偏置，需配合匹配电路与高效散热设计使用。不适用于消费类终端（如手机）或高频毫米波（>6 GHz）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21100MR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.05A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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