Datasheet下载- 型号： MRF6S21100MBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21100MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21100MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21100MBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21100MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21100MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21100MBR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段（如 PCS/WCDMA/LTE 2100 MHz 基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（RRU）的末级射频功放模块，支持多载波WCDMA/LTE信号，在2140–2170 MHz频段下可提供高达100 W连续波（CW）或峰值包络功率（PEP），具备高增益（≥17 dB）与高效率（典型PAE达65%）。 - 无线基础设施设备：适用于4G LTE及向5G演进中的兼容性射频子系统，支持高线性度调制（如64-QAM），配合DPD（数字预失真）技术满足ACLR等严苛通信标准。 - 工业与广播类射频应用：亦可用于ISM频段相关设备、雷达激励级或宽带射频测试系统中的中高功率信号源驱动级（需注意频率适配性）。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780），集成输入/输出匹配电路，简化PCB设计；支持+28 V单电源供电，具备良好热稳定性和ESD防护能力。需配合NXP官方推荐的偏置网络与散热方案（如强制风冷或液冷）以确保长期可靠运行。 （注：MRF6S21100MBR1已进入产品生命周期后期，NXP建议新设计参考其升级型号如MRF6P21100HR5。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21100MBR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.05A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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