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- 型号： MRF6S19140HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19140HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19140HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19140HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19140HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19140HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19140HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为宽带、高功率、高效率的射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：适用于 1805–1990 MHz 频段（覆盖 LTE Band 3、B25/B39 等），常用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级功率放大（PA Stage），支持多载波信号与高阶调制（如 256-QAM），具备优异的线性度与ACLR性能。 - 无线通信基础设施：广泛用于 4G LTE 和部分 5G Sub-6 GHz 基站的发射链路，尤其适合需要连续波（CW）输出达 140 W、脉冲功率更高、且兼顾效率（典型漏极效率 >65% @ 1.9 GHz）的场景。 - 工业与广播应用：可用于ISM频段（如 1920–1980 MHz）的射频加热、等离子体发生器及小型广播激励器等高可靠性、高功率密度场合。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理能力，支持高结温（Tj ≤ 200°C）运行，并内置ESD保护；配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案，可实现稳定宽带匹配与良好稳定性（K > 1）。需搭配专用驱动级与散热系统使用，不适用于低功耗或高频毫米波（>6 GHz）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19140HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.15A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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