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- 型号： MRF6S19140HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19140HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19140HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19140HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19140HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19140HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19140HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（典型工作频率 1805–1990 MHz）设计，适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大应用。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站发射链路：广泛用于 4G LTE 和部分 5G Sub-6 GHz 宏基站及微基站的末级功率放大器（PA），支持多载波信号（如 20–40 W 平均输出功率，峰值功率达 140 W），满足 ACLR 和 EVM 等严苛线性指标； - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和直放站（Repeater）中的射频功放模块； - 广播与通信系统：适用于 ISM 频段相关设备、专用无线通信（如公共安全、TETRA/LTE-M）的中高功率发射单元； - 工业与科研射频源：如 RFID 读写器、医疗射频设备（非治疗类）及测试仪器中的固态射频激励源。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（NI-780H），支持高增益（典型 18 dB）、高功率附加效率（PAE ≥ 60%），并具备优异的热稳定性和 VSWR 容限，适合连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、WCDMA）工作。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19140HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.15A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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