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- 型号： MRF6S19100NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19100NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19100NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19100NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19100NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19100NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19100NBR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计，典型工作频率为 1930–1990 MHz（如 PCS/UMTS/LTE 上行频段）。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级功放，支持 LTE FDD/TDD 及 5G NR Sub-6 GHz 前向兼容应用，具备高增益（约 17 dB）、高输出功率（100 W P3dB）和高效率（典型 60% 漏极效率）。 - 无线基础设施设备：适用于多载波（MC-CDMA、OFDMA）系统，支持宽带信号（20–40 MHz 瞬时带宽），具备良好线性度（ACPR < –45 dBc），满足严苛的通信标准要求。 - 工业与广播类 RF 功放模块：在雷达模拟器、EMC 测试源、宽带射频激励源等专业设备中作为高可靠性功率输出级。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780），支持强制风冷或液冷，具备优异热稳定性与长期可靠性，符合 Telcordia GR-468 认证。需配合匹配网络、偏置电路及保护机制（如 VSWR 耐受、过温关断）使用，常搭配 NXP 的射频驱动器（如 MW6S010N）构成完整 PA 链。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 22W TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S19100NBR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 1 1／2" BL 100'.jpg)
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