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- 型号： MRF6S19100MR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19100MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19100MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19100MR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19100MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19100MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19100MR1是NXP USA Inc.推出的高性能射频LDMOS MOSFET，专为1.9 GHz频段（如PCS、WCDMA、LTE基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和中继站的末级功放，支持1930–1990 MHz频段，单管连续波输出功率达100 W（典型值），具备高增益（≥17 dB）和高漏极效率（约65%）。 - 无线基础设施设备：用于多载波GSM/EDGE、WCDMA及4G LTE基站中的宽带线性功放模块，支持AB类偏置以兼顾效率与线性度，配合DPD（数字预失真）技术满足ACLR等严苛指标。 - 工业与广播射频系统：在小功率固态广播激励器或专用无线链路发射机中作为可靠射频功率源。 该器件采用气腔陶瓷封装（MR1），具备优异热稳定性与可靠性，支持高结温（Tj ≤ 200°C）运行，并内置ESD保护。需配合匹配网络、稳定偏置电路及高效散热设计使用。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 22W TO270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19100MR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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