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- 型号： MRF6S19060NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19060NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19060NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19060NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19060NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19060NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19060NR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.9–2.0 GHz 频段设计，典型工作频率覆盖 PCS（Personal Communications Service）和 LTE FDD Band 2/25 等蜂窝通信频段。其主要应用场景包括： - 基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和微基站（Microcell）的末级射频功放模块，支持高线性度、高效率（典型漏极效率达 55% @ 1.96 GHz）及宽带宽操作，满足 5G 前向兼容的 LTE-A 和 NR TDD/FDD 多载波信号需求。 - 无线基础设施设备：适用于室内分布系统（IBS）、小型基站（Small Cell）远端射频单元（RRU）及有源天线系统（AAS）中的中等功率射频输出级。 - 工业与广播应用：在 RFID 读写器、无线麦克风系统、医疗射频设备及低功率广播激励器中亦有应用，尤其适合需高可靠性、良好热稳定性和长期连续运行的场景。 该器件采用气腔封装（TO-270WB-4），具备优异的散热性能和坚固的抗驻波能力（VSWR ≥ 10:1 耐受），支持宽带匹配设计，简化外围电路开发。配合 NXP 提供的参考设计与仿真模型（如 ADS 模型），可加速射频PA子系统开发与量产导入。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S19060NR1 |
| PCN其它 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15491.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 610mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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