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型号： MRF6S19060NBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19060NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19060NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19060NBR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S19060NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19060NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S19060NBR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.9–2.0 GHz 频段设计，典型工作频率为 1930–1990 MHz（如 PCS、WCDMA、LTE FDD Band 2/25 等）。其主要应用场景包括：

- 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和微基站（Microcell）的末级射频功放模块，支持高线性度、高效率（典型漏极效率达 55% @ 1960 MHz），满足 4G LTE 及向 5G 演进中对带宽与ACLR性能的要求。

- 无线通信基础设施：适用于多载波宽带系统，支持 20–60 W 连续波（CW）或高峰均比（PAPR）信号（如 OFDMA、SC-FDMA），配合数字预失真（DPD）技术可实现优异的邻道泄漏比（ACLR）性能（如 –45 dBc@5 MHz offset）。

- 工业与广播应用：亦可用于医疗射频加热、等离子体发生器及小型 FM/TV 中继发射设备等需稳定高频大功率输出的场景。

该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H-4L），具备优异热管理能力，支持高可靠性连续运行。需搭配匹配网络、偏置电路及散热设计使用。注意：已停产（NRND），建议评估 NXP 新一代替代型号（如 MRF6P20190HR5）以保障长期供应。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 12W TO272-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S19060NBR1
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272 WB-4
功率-输出	12W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	TO-272BB
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	610mA
频率	1.93GHz
额定电流	10µA