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- 型号： MRF6S19060MR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19060MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19060MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19060MR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19060MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19060MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19060MR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计，典型工作频率为 1900 MHz（如 PCS、UMTS、LTE-FDD Band 2/25 等），适用于基站和通信基础设施中的高功率放大场景。 其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级功放模块，支持连续波（CW）或调制信号（如 OFDMA、WCDMA、LTE）输出，典型输出功率达 60 W（平均），峰值功率更高； - 无线通信基础设施：适配 4G LTE 及部分 5G Sub-6 GHz 基站的射频前端，尤其在需高线性度与高效率并重的多载波系统中表现优异； - 工业与广播射频应用：如小型化宽带直放站、分布式天线系统（DAS）、公共安全通信（TETRA/LMR）等中高功率发射单元。 该器件采用气腔陶瓷封装（MR1），具备优良热稳定性与可靠性，支持高增益（>17 dB）、高漏极效率（约 55–60% @ 1900 MHz）及良好互调抑制性能，满足严格通信标准（如 ACLR、EVM）要求。需配合匹配网络与散热设计使用，常与NXP配套驱动芯片（如 MW6S004N）协同构建完整射频链路。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19060MR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | TO-270-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 610mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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