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型号： MRF6S19060MBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19060MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19060MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19060MBR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S19060MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19060MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S19060MBR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE FDD/TDD 基站）设计。其典型应用场景包括：

- 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：主要用于宏基站（Macro Base Station）的末级功放模块，支持 1805–1990 MHz 频段，适用于 4G LTE 和 5G NR（Sub-1.9 GHz）中频段部署；  
- 多载波宽带系统：具备高增益（约17 dB）、高效率（典型漏极效率达65% @ 1.9 GHz）和优异线性度，适配20–40 W平均输出功率的多载波WCDMA/LTE信号（ACLR要求严苛）；  
- 远程射频单元（RRU）与有源天线系统（AAS）：因采用气腔陶瓷封装（MR1封装），热阻低、可靠性高，适合紧凑型、高散热要求的室外RRU设计；  
- 工业/军事通信设备：在雷达辅助通信、宽带无线接入（如WiMAX遗留系统）等对功率、稳定性和温度适应性（–40°C 至 +150°C结温）要求高的场景亦有应用。

该器件需配合匹配电路、偏置网络及高效散热设计使用，通常工作于AB类或动态偏置模式以兼顾效率与线性。注意：其为“MRF6S”系列，属硅基LDMOS，非GaN，不适用于毫米波或极高频段（>3.5 GHz）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 12W TO272-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S19060MBR1
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272 WB-4
功率-输出	12W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	TO-272-4
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	610mA
频率	1.93GHz
额定电流	10µA