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产品简介:
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MRF6P9220HR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频(RF)LDMOS 功率晶体管,专为 900–1000 MHz 频段设计,典型工作频率为 925–960 MHz(如 GSM/EDGE 基站频段),额定输出功率达 220 W(连续波,CW)。其主要应用场景包括: - 蜂窝通信基站功率放大器:广泛用于 2G(GSM)、2.5G(EDGE)及部分窄带 LTE 宏基站的末级功放(PA)模块,尤其适用于高效率、高线性度要求的多载波应用。 - 无线基础设施设备:如分布式基站(BBU+RRU)、微基站和直放站中的射频发射链路,支持高增益(典型 17 dB)、高功率附加效率(PAE ≥ 65%)和良好热稳定性。 - 工业与广播射频系统:适用于 UHF 频段的雷达模拟器、EMC 测试激励源、RF 加热电源及数字电视(DTV)发射辅助放大等中高功率射频信号生成场景。 该器件采用陶瓷封装(HR5 封装,带金属底座),具备优异的散热性能和可靠性,支持高电压(VDD = 28 V 或 32 V)偏置,兼容宽带匹配设计。需配合外部输入/输出匹配网络、稳定电路及高效散热方案使用。 注意:该型号已进入NXP产品生命周期末期(EOL),新设计建议评估替代型号(如 MRF6P221H 或 AFM系列),但现有设备仍大量用于全球在网基站维护与升级。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6P9220HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-860C3 |
| 功率-输出 | 47W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-860C3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |