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- 型号： MRF6P18190HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6P18190HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6P18190HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6P18190HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6P18190HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6P18190HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6P18190HR6 是恩智浦（NXP）收购飞思卡尔（Freescale）后延续生产的高性能射频LDMOS功率晶体管（原属Freescale产品线），主要用于1.8–1.9 GHz频段的宽带射频功率放大。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：适用于GSM、UMTS、LTE FDD/TDD等通信标准的宏基站和微基站末级功放，支持1.8–1.9 GHz频段（如B3、B39等），具备高增益（约17 dB）、高效率（典型PAE > 65%）和190 W连续波（CW）输出能力。 - 无线基础设施设备：用于直放站、分布式天线系统（DAS）、小基站（Small Cell）及有源天线单元（AAU）中的射频功放模块，满足高线性度与热稳定性要求。 - 工业与广播应用：在ISM频段（如1.88–1.9 GHz）的射频加热、医疗设备（如RF消融系统）及窄带无线通信系统中亦有应用。 该器件采用气腔陶瓷封装（HR6），具备优异的散热性能和可靠性，支持高VSWR耐受（≥10:1），适合严苛的商用通信环境。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计使用。 （注：Freescale于2015年被NXP收购，该型号现由NXP提供技术支持与供货。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6P18190HR6 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 44W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.9dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 1.87GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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