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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S4140HSR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S4140HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S4140HSR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF5S4140HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF5S4140HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的型号为 MRF5S4140HSR5 的晶体管属于 FET、MOSFET 类别,主要用于射频(RF)应用。以下是该器件的一些典型应用场景: 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifier) - 该 MOSFET 可用于设计高效的射频功率放大器,适用于无线通信系统,如蜂窝基站、无线电广播和卫星通信。 - 其高功率处理能力和低损耗特性使其非常适合需要大功率输出的应用。 2. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 - 在 ISM 频段中,MRF5S4140HSR5 可用于驱动高频设备,例如无线能量传输系统、等离子体生成器或射频加热装置。 - 它能够提供稳定的功率输出,同时保持较低的热耗散。 3. 航空与国防通信 - 该器件适用于雷达系统、军用通信设备以及导航系统的射频前端模块。 - 其优异的线性度和增益性能有助于提高信号质量并减少失真。 4. 测试与测量设备 - 在高端测试仪器中,例如频谱分析仪或信号发生器,此 MOSFET 可作为核心组件来生成或放大射频信号。 - 它的宽带宽特性支持多种频率范围内的精确测量。 5. 无线基础设施 - 包括 LTE、5G 和其他下一代移动网络在内的无线基础设施可以利用这款 MOSFET 来实现高性能的基站发射机。 - 它能够满足这些系统对效率、可靠性和稳定性的严格要求。 6. 业余无线电 - 对于爱好者来说,MRF5S4140HSR5 是构建高功率业余无线电发射机的理想选择,可用于短波或超短波频段。 总结 MRF5S4140HSR5 凭借其卓越的射频性能、高功率处理能力和广泛的频率覆盖范围,在通信、工业、国防以及其他高科技领域有着重要的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S4140HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.25A |
| 频率 | 465MHz |
| 额定电流 | 10µA |