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产品简介:
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NXP USA Inc.生产的MRF5S4140HSR3是一款射频(RF)晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频放大器设计,以下是其典型应用场景:
1. 射频功率放大器
- MRF5S4140HSR3专为射频功率放大器设计,适用于无线通信系统中的发射链路。它能够提供高增益和高效率,在高频段(如VHF、UHF或更高频率)表现出色。
- 常见应用包括广播电台、蜂窝基站、卫星通信设备等。
2. 无线通信领域
- 在现代无线通信系统中,这款器件可用于增强信号强度。例如:
- 蜂窝网络:支持GSM、CDMA、LTE等标准的基站设备。
- 对讲机和移动无线电:提高语音和数据传输的距离与质量。
- 点对点微波通信:用于长距离数据传输。
3. 雷达系统
- 雷达需要高效的射频功率放大器来发送强信号并接收反射信号。MRF5S4140HSR3的高功率输出和低失真特性使其非常适合此类应用。
- 应用场景包括气象雷达、空中交通管制雷达以及军事用途的探测雷达。
4. 工业、科学与医疗(ISM)频段
- 该晶体管可用于ISM频段的设备,如无线传感器网络、工业加热装置、医疗成像设备等。
- 其高效能转换能力有助于减少能量损耗,提升设备性能。
5. 测试与测量设备
- 在射频测试仪器中,MRF5S4140HSR3可以作为信号源的功率放大器,确保测试信号具有足够的强度和稳定性。
- 应用实例包括频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器。
总结
MRF5S4140HSR3凭借其优异的射频性能,广泛应用于需要高功率、高效率和低失真的场合。无论是商业通信、国防安全还是科学研究,这款晶体管都能满足严格的射频需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S4140HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.25A |
| 频率 | 465MHz |
| 额定电流 | 10µA |