Datasheet下载- 型号： MRF5S4125NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S4125NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S4125NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S4125NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S4125NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S4125NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S4125NBR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高功率放大应用设计。其典型工作频率为 2.1–2.2 GHz（支持 WCDMA/LTE FDD Band 1），额定输出功率达 125 W（连续波，CW），具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型值 65%）和优异的热稳定性。 主要应用场景包括： - 蜂窝基站射频功率放大器：广泛用于 4G LTE 和部分 5G Sub-6 GHz 宏基站的末级功放（PA），尤其适用于 2.1 GHz 频段的多载波信号放大； - 无线通信基础设施：如分布式基站（BBU+RRU）、微基站及中继站中的线性功放模块，支持高PAR（峰均比）信号（如 OFDM、WCDMA），配合DPD（数字预失真）技术实现良好ACLR性能； - 广播与工业射频源：在特定ISM频段或定制化宽带通信系统中用作高可靠性射频功率放大核心器件。 该器件采用陶瓷封装（NI-780），内置ESD保护和优化的输入/输出阻抗匹配（50 Ω），简化外围电路设计，适用于严苛环境下的长期稳定运行。需配合合适的散热方案（如强制风冷或液冷）及偏置控制电路使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF SGL 450MHZ TO-272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S4125NBR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 23dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 465MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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