【未分类_MRF5S21130HR5】封装/厂家_MRF5S21130HR5中文资料_价格

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型号： MRF5S21130HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21130HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21130HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21130HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF5S21130HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21130HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF5S21130HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，属晶体管—FET/MOSFET—射频类别。其典型工作频率为2.1–2.2 GHz（如WCDMA、LTE Band 1/25），额定输出功率达130 W（连续波），具备高增益（约17 dB）、高效率（典型65%）及优异的热稳定性和可靠性。

主要应用场景包括：  
• 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级功放（PA），支持4G LTE及部分5G Sub-6 GHz前传/分布式单元（DU）应用；  
• 无线通信基础设施：适用于TDD/FDD模式的2.1 GHz频段多载波基站，满足ACLR、EVM等严苛线性度要求；  
• 广播与专用通信系统：可用于数字电视发射机辅助放大、公共安全通信（如TETRA、P25）及军用战术电台的射频末级；  
• 工业与科研射频源：在RF加热、等离子体发生器或EMC测试信号源中作为大功率激励级。

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持风冷/水冷设计，需配合匹配网络与偏置电路使用。注意：其为高电压（VDD=28 V）、高功率器件，设计时须重视散热、稳定性（防振荡）及ESD防护。  

（字数：298）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-880
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF5S21130HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880
功率-输出	28W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	13.5dB
封装/外壳	NI-880
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.2A
频率	2.11GHz
额定电流	10µA