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- 型号： MRF5S21100HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21100HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21100HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21100HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21100HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21100HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21100HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET（横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管），专为2.1–2.2 GHz频段设计，典型工作频率为2110–2170 MHz（如WCDMA/LTE FDD Band 1上行/下行频段）。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站、微基站及分布式基站的末级射频功放模块，支持高线性度、高效率（典型PAE > 45% @ 2.14 GHz）和大输出功率（连续波下可达100 W，脉冲/平均功率适用于LTE/WCDMA调制信号）。 - 无线通信基础设施：适用于4G LTE 和向5G演进中的中功率基站系统，尤其在需要高增益（典型>17 dB）、良好热稳定性和长期可靠性（符合Telcordia GR-468标准）的场景。 - 宽带射频功率放大器模块：可集成于多载波（MC-CDMA、OFDMA）系统中，支持复杂调制（如64-QAM）下的ACLR（邻道泄漏比）优化，满足3GPP严苛线性指标。 - 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA增强型）、点对点微波回传（部分2.1 GHz频段应用）及广播辅助发射系统。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异散热能力，支持风冷或底板传导冷却，适用于高密度、高可靠性通信设备。注意：实际应用需配合匹配网络、偏置电路与保护机制（如VSWR耐受、ESD防护），并遵循NXP推荐的PCB布局与热设计规范。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21100HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.05A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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