Datasheet下载- 型号： MRF5S19150HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19150HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19150HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19150HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19150HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19150HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19150HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高功率、高频率通信应用设计。其典型工作频率为1.93–1.99 GHz（支持PCS/UMTS/LTE 1900 MHz频段），输出功率可达150 W（连续波），具备高增益（约17 dB）和高漏极效率（>65%），适用于严苛的基站发射场景。 主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（BBU+RRU架构）中的末级射频功放模块，支持2G/3G/4G LTE（如Band 2/25）及部分5G Sub-6 GHz前向兼容系统； - 无线基础设施设备：如直放站（Repeater）、小型基站（Small Cell）的高线性度功率放大单元； - 工业与广播领域：适用于ISM频段（如915 MHz）的高可靠性射频加热、等离子体发生器等非通信类大功率射频源（需重新匹配设计）； - 测试与测量系统：作为信号源或负载模拟器中的高功率射频激励器件。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持强制风冷或液冷散热，强调热稳定性和长期可靠性，符合电信设备严格的MTBF要求。需配合NXP推荐的栅极驱动电路、输入/输出匹配网络及偏置电源使用，以实现最佳线性度（ACLR）与效率平衡。 （注：MRF5S19150HSR3已进入产品生命周期后期，NXP建议新设计参考其升级型号如MRF5S19150NR3或AFM系列。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19150HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 32W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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