Datasheet下载- 型号： MRF5S19150HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19150HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19150HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19150HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19150HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19150HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19150HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS 1900）设计，典型工作频率范围为 1805–1990 MHz。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 2G/3G/4G（LTE）宏基站和微基站的末级射频功放（PA），支持高线性度与高效率要求，适用于 PCS、UMTS 和 LTE FDD 等通信标准。 - 无线基础设施设备：集成于分布式天线系统（DAS）、小基站（Small Cell）和直放站（Repeater）中，提供稳定可靠的射频输出功率（典型 P1dB ≈ 150 W，Gp > 17 dB）。 - 工业与专用通信系统：适用于点对多点（PMP）无线接入、公共安全通信（如 TETRA 基站扩展频段应用）及广播辅助链路等需高可靠性射频放大的场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（R3），具备优异热管理能力与长期可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、WCDMA、LTE 20MHz 信号）工作，满足 ACLR 和 EVM 等关键线性指标要求。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，常搭配 NXP 推荐的驱动级器件（如 MRF5S21140N）构成完整射频链路。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19150HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 32W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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