Datasheet下载- 型号： MRF5S19130HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19130HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19130HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19130HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19130HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19130HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19130HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS 1900）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 2G/3G/4G LTE 宏基站和微基站的末级功放（PA），支持高线性度与高效率输出（典型输出功率达 130 W CW 或 160 W 脉冲，增益约 17 dB）。 - 无线基础设施设备：适用于多载波宽带系统（如 20 MHz 带宽内多通道信号），具备良好互调抑制（IMD3 ≤ –35 dBc），满足严格通信标准（如 ACLR 要求）。 - 工业与广播射频源：可用于 RFID 激发器、医疗射频加热、等离子体发生器等中高频工业射频电源模块。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1221A），具备优异热稳定性与可靠性，支持连续波（CW）及高占空比脉冲工作；内置ESD保护与优化输入/输出阻抗（50 Ω 系统易匹配），简化外围电路设计。需配合NXP推荐的偏置电路（如Class AB）与散热方案（强制风冷或水冷）以发挥最佳性能。不适用于5G Sub-6 GHz 新频段（如3.5 GHz），因其频率响应峰值集中在1.8–2.0 GHz。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19130HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 26W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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