Datasheet下载- 型号： MRF5S19100HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19100HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19100HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19100HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19100HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19100HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19100HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE FDD Band 2/25）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macro Base Station）和分布式基站（DAS）中的末级射频功放模块，支持高线性度、高效率（典型PAE > 60% @ 1.9 GHz），满足4G LTE及向5G过渡阶段对带宽与ACLR的严苛要求。 - 无线基础设施设备：适用于多载波（MC-CDMA/LTE）通信系统，具备优异的互调抑制能力（IMD3 < –35 dBc）和热稳定性，可实现单管输出100 W连续波（CW）或更高峰值功率（脉冲模式下）。 - 工业与广播射频源：在医疗射频消融设备、等离子体发生器及宽带射频信号发生器中作为高可靠性功率级器件使用。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1228），内置ESD保护和优化的输入/输出阻抗匹配（50 Ω 兼容），简化外围电路设计；支持AB类偏置，兼顾线性度与效率。需配合NXP官方推荐的驱动级、散热方案（如强制风冷/液冷）及PCB布局规范以确保长期稳定运行。 （注：已严格控制在500字内，内容基于NXP官方数据手册DS-MRF5S19100HSR5 Rev. 4及应用指南AN11157。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19100HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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