Datasheet下载- 型号： MRF5S19100HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19100HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19100HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19100HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19100HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19100HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19100HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD 上行/下行）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站和中继站的末级功放（PA），支持高线性度与高效率（在1.9 GHz、48 V、40 W平均输出时，典型功率增益达17 dB，漏极效率约60%）； - 无线通信基础设施：适用于 2G/3G/4G 多载波基站（MC-PA），具备优异的互调失真（IMD）抑制能力，满足ACLR要求； - 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、小基站（Small Cell）及宽带直放站等需稳定射频输出的场景； - 测试与仪表设备：作为信号源或激励级放大模块，支持宽动态范围与良好热稳定性（采用陶瓷封装，结温可达200°C）。 该器件采用高可靠性LDMOS工艺，内置ESD保护，支持连续波（CW）与脉冲/调制信号（如WCDMA、OFDMA）工作，配合匹配电路可实现宽带阻抗匹配与温度补偿。注意：实际应用需严格遵循NXP推荐的PCB布局、散热设计（建议使用大面积铜箔+散热器）及偏置电路（固定偏置或A类/AB类配置）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19100HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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